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5月31日，武汉光迅高端光电子器件产业基地建设项目一期厂房全面封顶，比预定工期提前15天。

据悉，该项目位于武汉东湖高新区综合保税区，由中建三局科技厂房建设公司承建。一期总建筑面积约15.8万平方米，主要包含洁净厂房、研发中心等5栋单体，于2022年10月开建，预计明年上半年完工。

据介绍，中建三局项目团队结合电子厂房建造“短、平、快”的特点，按照快速启动、精益建造、完美履约的整体部署，克服了风雪极端天气等不利影响，全力以赴保进度，提前完成多个阶段性节点任务，历时7个月实现所有厂房全面封顶。目前，项目主厂房砌体已完成80%，首层洁净区环氧喷涂及墙板完成40%，即将开始二层洁净工艺施工。

武汉光迅科技股份有限公司是国内首家上市的光电子器件公司，也是国内第一家具备光电器件芯片关键技术和大规模量产能力的企业，市场份额已进入全球同领域前五。项目建成投产后，将用于开展高速器件与模块的中试工艺验证与智能制造，研发生产面向5G和6G应用的高速光电子器件以及光收发模块产品。预计将每年新增100亿元产值，推动武汉市光电芯片产业和高新技术发展，助力企业成为全球光器件的研发先行者和先导企业。